Intel Sapphire Rapids第四代可(kě)擴展至強雖然一再跳(tiào)票(piào)，但(dàn)技(jì)術(shù)上(shàng)還(hái)是相當值得(de)期待的，除了首次支持DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線，還(hái)會(huì)首次加入HBM2e高(gāo)帶寬內(nèi)存，為(wèi)特定應用加速。

當然，這個(gè)HBM2e內(nèi)存是可(kě)選的，不是所有(yǒu)型号都具備。

 

現在，我們第一次看到了它的實際表現，來(lái)自一顆至強鉑金8472C的樣品。

 

至強鉑金8472C 52核心104線程，二級緩存104MB，三級緩存97.5MB，單核、全核加速頻率分别為(wèi)3.8GHz、3.0GHz，熱設計(jì)功耗PL1 350W、PL2 420W，峰值功耗764W，Tjmax溫度最高(gāo)84℃。

 

集成的HBM2e具體(tǐ)容量不詳，大(dà)概率是64GB，官方曾披露會(huì)是四顆8-Hi堆疊。

 

作(zuò)為(wèi)對比的是旗艦至強鉑金8490H，滿血的60核心120線程，二級緩存120MB，三級緩存112.5MB，單核加速3.5GHz，全核加速2.9GHz，功耗指标同上(shàng)，最高(gāo)溫度96℃。

 

測試都是雙路，CPU-Z單核跑分8472C領先約6.8％，畢竟頻率略勝一籌，多(duō)核則落後2.4％，并沒有(yǒu)什麽區(qū)别。

 

V-Ray測試中體(tǐ)現了HBM2e加成的威力，8472C 95014分，領先8490H 71830分多(duō)達32.3％！

 

由此也可(kě)以看出，HBM2e僅适用于對帶寬極為(wèi)敏感的特定應用。